| 发明名称 | 绝缘体上硅的横向P型双扩散金属氧化物半导体管 | ||
| 摘要 | 一种绝缘体上硅的横向P型双扩散金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底上面设置有埋氧化层，在埋氧化层上设有高压N型阱和高压P型阱，高压N型阱上设有N型阱和P型漂移区，且P型漂移区延伸到高压P型阱的上半部分，在N型阱上设有N型的D阱区，从而形成三层N型的阱结构，且器件表面的氧化层存在台阶结构，而氧化层在P型漂移区上面部分的厚度明显大于其他部分的厚度。该发明结构能够有效提高器件的耐压，并且可以防止漂移区和源区之间的穿通。 | ||
| 申请公布号 | CN101702409A | 申请公布日期 | 2010.05.05 |
| 申请号 | CN200910212768.4 | 申请日期 | 2009.11.09 |
| 申请人 | 苏州博创集成电路设计有限公司 | 发明人 | 易扬波;王钦;刘侠;李海松;陈文高 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 楼高潮 |
| 主权项 | 一种绝缘体上硅的横向P型双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：半导体衬底(1)，在所述半导体衬底(1)上面设置有埋氧化层(2)，在所述埋氧化层(2)上设有高压N型阱(3)和高压P型阱(4)，所述高压N型阱(3)上设有N型阱(5)和P型漂移区(6)，且所述P型漂移区(6)延伸到所述高压P型阱(4)的上半部分，在所述N型阱(5)上设有N型的D阱区(7)，所述N型的D阱区(7)上设有N型接触区(8)和P型源区(9)，在所述P型漂移区(6)上设有漏区(10)，在所述高压N型阱(3)表面的N型接触区(8)、P型源区(9)的以外区域及所述高压P型阱(4)表面的P型漏区(10)以外区域设有氧化层(12)，在所述氧化层(12)的表面设有多晶硅栅(11)且所述多晶硅栅(11)从所述N型的D阱区(7)经过所述N型阱区(5)并延伸至所述P型漂移区(6)的一部分区域，其特征在于，在所述P型源区(9)下方存在由所述N型的D阱区(7)、所述N型阱(5)和所述高压N型阱(3)构成的三层阱结构，且所述氧化层(12)存在台阶结构。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖林泉街399号1号楼3层 | ||