半导体器件及其制造方法

摘要

一电可擦除只读存储器(EEPROM)单元，包含在电荷保持绝缘层的相对面上的第一和第二助栅极(assist gate)。在EEPROM存储单元中的电流在反转层之间流动，该反转层是响应于向助栅极施加的偏压而产生的。此绝缘层可含有设置在沟道区域上方的二氧化硅层之间的氮化硅，使得这些层可构成一介电堆栈，其被制造来占据相当小的区域。

主权项

一种半导体器件，包含：衬底；第一导电层，其设置在该衬底的第一区域上，且与该衬底的该第一区域隔离；第二导电层，其设置在该衬底的第二区域上，该第一区域与该第二区域隔离，该第二导电层与该衬底的该第二区域隔离；以及绝缘层，其设置在该衬底的第三区域上，该第三区域在该第一区域和该第二区域之间，其中所述绝缘层包含多个绝缘层，以及所述多个绝缘层中的第一和第二绝缘层包含氧化硅，且所述多个绝缘层中的第三绝缘层包含氮化硅；以及第三导电层，其设置在该绝缘层上，其中在分别向该第一、第二和第三导电层施加第一、第二和第三偏压时，该绝缘层接收并保持载子。