发明名称 | 场致发射器件以及利用该器件的场致发射显示装置 | ||
摘要 | 提供了一种场致发射器件以及利用该器件的场致发射显示装置。所述场致发射器件包括:阴极部分,所述阴极部分含有基板、形成在所述基板上的阴极电极以及连接到所述阴极电极的场致发射体;形成在所述场致发射体周围的阴极部分上并包围所述场致发射体的场致发射抑制栅极部分;以及场致发射诱发栅极部分,所述场致发射诱发栅极部分含有具有至少一个穿透孔的金属网和形成在所述金属网的至少一部分上的介电层,其中所述场致发射抑制栅极部分抑制电子从所述场致发射体发射,并且所述场致发射诱发栅极部分诱发电子从所述场致发射体发射。根据这种结构,能够显著改善场致发射器件的传统问题,包括栅极漏电流、由阳极电压引起的电子发射和电子束发散。 | ||
申请公布号 | CN1906724B | 申请公布日期 | 2010.05.05 |
申请号 | CN200580001426.8 | 申请日期 | 2005.06.03 |
申请人 | 韩国电子通信研究院 | 发明人 | 宋润镐;李镇浩;姜光镛 |
分类号 | H01J1/30(2006.01)I | 主分类号 | H01J1/30(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
主权项 | 一种场致发射器件,包括:阴极部分,所述阴极部分含有基板、形成在所述基板上的阴极电极以及连接到所述阴极电极的场致发射体;形成在所述场致发射体周围的阴极部分上并包围所述场致发射体的场致发射抑制栅极部分;以及场致发射诱发栅极部分,所述场致发射诱发栅极部分含有具有至少一个穿透孔的金属网和在所述穿透孔中围绕所述金属网的侧面的介电层,所述场致发射诱发栅极部分在所述场致发射抑制栅极部分上,并且所述场致发射诱发栅极部分的穿透孔暴露由所述场致发射抑制栅极部分包围的所述场致发射体,其中所述场致发射抑制栅极部分抑制电子从所述场致发射体发射,并且所述场致发射诱发栅极部分诱发电子从所述场致发射体发射。 | ||
地址 | 韩国大田市 |