| 发明名称 | 集成半导体混频器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种集成半导体混频器，它包括：一个衬底，一个位于衬底上的高频平衡-不平衡转换器，一个位于衬底上的本地振荡器平衡-不平衡转换器，一个位于衬底上的中频端口，和一个位于衬底上的、并同高频平衡-不平衡转换器、本地振荡器平衡-不平衡转换器和中频端口进行通信的混频二极管装置。其中高频平衡-不平衡转换器和本地振荡器平衡-不平衡转换器之间通过镀金属孔被屏蔽。 | ||
| 申请公布号 | CN1522490B | 申请公布日期 | 2010.05.05 |
| 申请号 | CN02813190.8 | 申请日期 | 2002.05.31 |
| 申请人 | 爱立信股份有限公司 | 发明人 | 格雷格尔·格哈德;施特凡·克恩;施特凡·科赫 |
| 分类号 | H03D9/06(2006.01)I | 主分类号 | H03D9/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 邓琪 |
| 主权项 | 一种集成半导体混频器包括：-一个衬底(10)，-一个位于衬底(10)上的高频平衡-不平衡转换器(12)，-一个位于衬底(10)上的本地振荡器平衡-不平衡转换器(14)，-一个位于衬底(10)上的中频端口(16)，-和一个位于衬底(10)上的混频二极管(18)，该混频二极管装置同高频平衡-不平衡转换器(12)、本地振荡器平衡-不平衡转换器(14)和中频端口(16)进行通信，其特征在于：通过镀金属孔(20)，高频平衡-不平衡转换器(12)和本地振荡器平衡-不平衡转换器(14)之间被屏蔽。 | ||
| 地址 | 瑞典斯德哥尔摩ES-16480 | ||