| 发明名称 | 半导体处理装置及方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体处理用的处理装置，具备：容纳被处理基板的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的气体供给系统；对所述处理容器内进行排气的排气装置；连接所述处理容器和所述排气装置的排气管路。在排气管路上配置有开度可调阀，在所述开度可调阀的上流，具有与所述排气管路连接的导入惰性气体的惰性气体管路。配置有压力控制机构，在所述处理容器内进行处理时，在使用所述排气装置对所述处理容器进行排气，同时将所述惰性气体从所述惰性气体管路导入所述排气管路的状态下，通过调整所述开度可调阀的开度及所述惰性气体的流量中的至少一个，控制所述处理容器内的压力。 | ||
| 申请公布号 | CN1794421B | 申请公布日期 | 2010.05.05 |
| 申请号 | CN200510132170.6 | 申请日期 | 2005.12.22 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 铃木大介;长谷川雅之;远藤笃史 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种半导体处理用的处理装置，其特征在于，具备：容纳被处理基板的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的气体供给系统；对所述处理容器内进行排气的排气装置；连接所述处理容器和所述排气装置的排气管路；配置在所述排气管路上的开度可调阀；在所述开度可调阀的上流，与所述排气管路连接的导入惰性气体的惰性气体管路；和在所述处理容器内进行处理时，在使用所述排气装置对所述处理容器进行排气，同时将所述惰性气体从所述惰性气体管路导入所述排气管路的状态下，通过调整所述开度可调阀的开度及所述惰性气体的流量中的至少一个，控制所述处理容器内压力的压力控制机构，所述排气管路与所述惰性气体管路直接连接。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||