| 发明名称 | 绝缘膜以及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供具有多个空孔的绝缘膜的形成方法。此外，提供以高成品率制造被高集成化的半导体器件的方法。在本发明中，为了实现层间绝缘膜的低介电常数化，通过使用激光束在形成层间绝缘膜中形成多个空孔来形成多孔绝缘膜。另外，使用以喷墨法为代表的液滴喷射法向所述多孔绝缘膜中排放包含导电性粒子的组成物后，烘焙来形成布线。激光束优选使用超短脉冲激光束。 | ||
| 申请公布号 | CN1797717B | 申请公布日期 | 2010.05.05 |
| 申请号 | CN200510129035.6 | 申请日期 | 2005.11.30 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山本裕子 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 一种绝缘膜的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一绝缘膜；以及通过向所述第一绝缘膜照射由光学透镜聚光的超短脉冲激光束来在聚光的位置附近形成空孔，其中通过移动所述聚光的位置来形成多孔绝缘膜，其中所述第一绝缘膜用透过所述激光束的材料来形成。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||