| 发明名称 | 使用相移和辅助微细结构使半导体层形成图案 | ||
| 摘要 | 一种使用光掩模使感光层形成图案的光掩模和方法，所述光掩模包括基板和耦合到基板上的薄膜。用相移辅助微细结构、低纵横比辅助微细结构或相移的低纵横比主微细结构蚀刻薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1653388B | 申请公布日期 | 2010.05.05 |
| 申请号 | CN03811360.0 | 申请日期 | 2003.03.06 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | R·塞恩克;G·埃伦 |
| 分类号 | G03F1/14(2006.01)I;G03F1/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈炜 |
| 主权项 | 一种光掩模，其特征在于，包括：主微细结构；以及辅助微细结构，它邻近于所述主微细结构，所述辅助微细结构相对于所述主微细结构相移，所述辅助微细结构的大小和相移足够产生相消性干涉，其中所述辅助微细结构包括具有小于2.0的纵横比的亚分辨率辅助微细结构。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||