发明名称 |
磁性随机存储元件 |
摘要 |
本发明提供一种磁性随机存储元件。所述磁性随机存储元件,包括两个第一磁性层,分别地位于同一基底上。一第二磁性层夹置于该两个第一磁性层之间。以及两个介电层各接触该第二磁性层的相对面,并且各夹置于第二磁性层与该两个第一磁性层之一之间,其中各个该第一与第二磁性层与该介电层垂直于该基底或与该基底之间形成一介于60度至88度之间的锐角。本发明所述的磁性随机存储元件及其制造方法,可改善MRAM堆叠的空间,同时增加设计时的裕度及制程良率。 |
申请公布号 |
CN1783333B |
申请公布日期 |
2010.05.05 |
申请号 |
CN200510090269.4 |
申请日期 |
2005.08.12 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
刘继文;江国庆;曾鸿辉;邓端理 |
分类号 |
G11C11/15(2006.01)I;H01L43/00(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/15(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 11277 |
代理人 |
刘新宇 |
主权项 |
一种磁性随机存储元件,其特征在于所述磁性随机存储元件包括:两个第一磁性层,分别地位于同一基底上;一第二磁性层夹置于该两个第一磁性层之间;以及两个介电层各接触该第二磁性层的相对面,并且各夹置于第二磁性层与该两个第一磁性层之一之间,其中各个该第一与第二磁性层与该介电层与该基底之间的角度范围介于60度至88度之间,或者该第一与第二磁性层与该介电层分别垂直于该基底;至少一微电子元件位于该基底的至少一部分中;以及一介电磁性随机存取存储堆叠层夹置于该第一磁性层与该介电层之间或该第二磁性层与该介电层之间,其中该至少一微电子元件电性连结至该第一及第二磁性层的至少一部分。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |