发明名称 晶片电阻器及其制造方法
摘要 本发明之晶片电阻器(1),系具备有:俯视为长方形之绝缘基板(2);和与绝缘基板(2)之上面的长边侧面相邻接,而以沿着此长边侧面带状延伸的形态所形成的一对之上面电极(3,4);和被形成于绝缘基板(2)之上面,与各上面电极(3,4)相互电性连接的电阻膜(5);和被形成于绝缘基板之两长边侧面,与各上面电极相互电性连接的一对之端子电极(6,7)。此电阻膜(5)之长度方向的其中一端,系被连接于其中一方之上面电极(3),电阻膜之长度方向的另外一端,系被连接于另外一方的上面电极(4),电阻膜(5)与其中一方之上面电极(3)的连接部分,和电阻膜(5)与另外一方之上面电极(4)的连接部分,系沿着绝缘基板(2)之上面的长度方向,相互隔开有适当的距离。
申请公布号 TWI324350 申请公布日期 2010.05.01
申请号 TW095137603 申请日期 2006.10.12
申请人 罗姆电子股份有限公司 发明人 米田将记
分类号 H01C1/142;H01C17/06 主分类号 H01C1/142
代理机构 代理人 林志刚
主权项 一种晶片电阻器,系具备有:俯视时为长方形的绝缘基板;和被形成于前述绝缘基板之上的电阻膜;和被形成于前述绝缘基板之上面,并与前述电阻膜电性连接之一对的上面电极;和被形成于前述绝缘基板的两长边侧面,并与前述各上面电极电性连接之一对的端子电极,其特征为:前述各上面电极中之其中一方之上面电极,系为由邻接于前述绝缘基板的其中一方之长边侧面,而沿着此长边侧面延伸的第1部分,和邻接于前述绝缘基板的其中一方之短边侧面,而沿着此短边侧面延伸的第2部分所成,且被形成为俯视L字形状,前述各上面电极中之另外一方之上面电极,系为由邻接于前述绝缘基板的另外一方之长边侧面,而沿着此长边侧面延伸的第1部分,和邻接于前述绝缘基板的另外一方之短边侧面,而沿着此短边侧面延伸的第2部分所成,且被形成为俯视L字形状,前述电阻膜之长度方向的其中一端,系连接于前述其中一方之上面电极的第2部分,前述电阻膜之长度方向的另外一端,系连接于前述另外一方之上面电极的第2部分,前述电阻膜与前述其中一方之上面电极的连接部分,和前述电阻膜与前述另外一方之上面电极的连接部分,系沿着前述绝缘基板之上面的长度方向,而相互隔开有适当的距离,前述一对的端子电极之中的其中一方之端子电极,系连接于前述其中一方之上面电极的第1部分,前述一对的端子电极之中的另外一方之端子电极,系连接于前述另外一方之上面电极的第1部分,在前述一对的上面电极之中的任一方又或是两方之第1部分,其沿着前述长边侧面之长度尺寸,系为较在前述长边侧面上之长度尺寸为更短,在前述电阻膜上,系经由修整(trimming)加工而被设置有沟,该沟,系具备有:在沿着前述长边侧面之长度尺寸为较在前述长边侧面上之长度尺寸更短之前述第1部分所延伸之长边侧面侧,所开口之入口,沿着前述长边侧面之长度尺寸为较在前述长边侧面上之长度尺寸更短之前述第1部分、和前述沟之前述入口,在前述长度方向上,系并不重叠。
地址 日本