制造用于磁移暂存记忆装置的资料轨之方法

摘要

本发明提供用于一磁移暂存记忆体系统的一磁性资料轨，可藉由形成一介电质与/或矽层交错之多层堆叠制造而成。于此交错的多层堆叠层中，蚀刻大约10微米高，具有100奈米x 100奈米的横切面的介层洞。可蚀刻介层洞，形成平滑或有缺口的墙。以交错的铁磁性或亚铁磁性材质层电镀，而填补介层洞。此交错的铁磁性或亚铁磁性层包含具有不同磁化磁性、或磁性交替、或磁性异向性的磁性材质。这些不同的磁性特征，将磁畴壁固定在这些层的边缘间。或者，以同质铁磁性材质填补介层洞。藉由介层洞壁面上的缺口或突出部分所造成强磁性或亚铁磁性材质之间的间断，形成磁畴壁(domain walls)。

主权项

一种制造包含一资料轨之一磁移暂存器之方法，包含：在一绝缘基材蚀刻一沟槽；以一沟槽材质填补该沟槽，以形成一中央区域；形成一多层堆叠结构，于该绝缘基材及该沟槽材质上；形成穿过该多层堆叠结构之二介层洞，以暴露该中央区域；以及以一磁性材质填补该二介层洞，而形成一资料区域及一储存处，以使该资料区域、该中央区域、以及该储存处形成该资料轨。