| 发明名称 |
用于电子装置之含奈米粒子之光散射层、用于薄膜电晶体之含光散射层之接面结构、及形成彼等之方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种用于一电子装置之含奈米粒子之光散射层，一种用于一薄膜电晶体之含该光散射层之接面结构，及形成彼等之方法。该用于该电子装置之光散射层包含一碳化物－半金属或一碳化物－金属，该碳化物－半金属或该碳化物－金属包含奈米粒子，该等奈米粒子包含Si或一金属。在根据本发明之一实施例之该用于一薄膜电晶体之接面结构中，该光散射层插于包含(ZnS)1－x(SiC)x、W1－xCx、Ta1－xCx及Mo1－XCx之一第一保护层与一第二保护层之间(其中0<x<1。包含M1－y((ZnS)1－x(SiC)x)y、M1－y(W1－xCx)y、M1－y(Ta1－xCx)y及M1－y(Mo1－xCx)y，其中0<x<1，0<y<1且M为Si、Ta、W或Mo)之第一覆盖层与第二覆盖层可分别插于该第一保护层与该光散射层之间以及该光散射层与该第二保护层之间。该等层在执行形成每一层之制程之后顺序地原位形成，而不破坏一真空状态。 |
| 申请公布号 |
TWI324392 |
申请公布日期 |
2010.05.01 |
| 申请号 |
TW095142925 |
申请日期 |
2006.11.21 |
| 申请人 |
韩国电子通信研究院 |
发明人 |
金相侠 |
| 分类号 |
H01L29/73;G02B5/02 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种用于电子装置之光散射层，其包含一包含碳化物－半金属或碳化物－金属之层，该碳化物－半金属或该碳化物－金属包含奈米粒子，该等奈米粒子包含Si或金属。 |
| 地址 |
南韩 |
