半导体架构及其形成方法和形成金氧半导体装置之方法

摘要

一种具有挖除主动区域之半导体架构以及制造半导体架构的方法。半导体架构包括第一隔离架构和第二隔离架构，而第一隔离架构和第二隔离架构之间具有一主动区域，第一和第二隔离架构具有小于90度之倾斜角之侧壁，藉由挖除主动区域以增加通道宽度以及装置的驱动电流。

主权项

一种半导体架构，包括：一半导体基板；一第一隔离架构和一第二隔离架构，设置在上述半导体基板里，具有一第一主动区域于其中，其中上述第一主动区域具有一挖除区域，上述挖除区域之一挖除深度至少100；一闸极介电层，设置在上述第一主动区域中，并且在上述半导体基板上；一闸极，设置在上述闸极介电层上；以及一源/汲极区域，大体上对准于上述闸极之一侧壁。