| 发明名称 |
以氮电浆处理之氧化铟锡膜与使用该氧化铟锡膜作为阳极之有机发光元件 |
| 摘要 |
本发明系提供一种含有含氮化合物之ITO(铟锡氧化物)薄膜，其中该含氮化合物系使含有铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)之薄膜表面上的上述ITO构成元素铟、锡、氧其中至少一种元素与氮反应所生成，或是含氮化合物系沉积在ITO薄膜之表面上。又，本发明提供一种ITO薄膜的制造方法，其特征为，对含有铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)之薄膜表面进行氮电浆处理。使用依照本发明所制造之ITO薄膜作为阳极使用之有机电致发光元件，能够发挥低电压、高效率及长寿命的特性。 |
| 申请公布号 |
TWI324495 |
申请公布日期 |
2010.05.01 |
| 申请号 |
TW093114298 |
申请日期 |
2004.05.20 |
| 申请人 |
ＬＧ化学股份有限公司 |
发明人 |
孙世焕;姜旼秀;金锺杰;全相映 |
| 分类号 |
H05B33/20 |
主分类号 |
H05B33/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
| 主权项 |
一种用于一有机电致发光(electroluminescent)元件之一阳极的ITO(Indium Tin Oxide；铟锡氧化物)薄膜，该ITO薄膜之一表面上系形成有一含氮化合物，其中该含氮化合物系使作为氮电浆中之一电浆放电气体的氮分子或含氮分子与选自由该阳极的该ITO薄膜之构成元素铟、锡、氧原子所组成之群组中的其中至少一种原子反应所生成，或是源自作为氮电浆中之该电浆放电气体的氮分子或含氮分子之含氮化合物系沉积在该阳极的该ITO薄膜之该表面上；以及其中构成该有机电致发光元件之一有机物质的至少一有机层系设置于或待设置于具有该含氮化合物之该ITO薄膜之该表面上。 |
| 地址 |
南韩 |
