半导体制造装置及其加热单元

摘要

本发明提供一种半导体制造装置及其加热单元，其中，系具备有：处理室(11)、将晶圆搬出/搬入处理室(11)的搬送通路(12)、以及将处理室内的处理气体排出的排气通路(13)及排气管路(40、41‘)等；并具有为了加热处理室(11)、搬送通路(12)、排气通路(13)及排气管(410、420)之内壁面(11a、11b、12a、13a、410a、420a)，而将薄板状之电阻发热体以一对金属板挟持并覆盖的同时，将内壁面由内侧予以覆盖之方式予以形成的面状加热单元(50、60、70、80、170、270)。藉此，提高暴露于处理气体之壁面的加热效率，并可防止副生成物等的附着，且亦可防止电阻发热体的劣化。

主权项

一种半导体制造装置，系具有：处理室；供给通路，供给处理气体至前述处理室内；搬送通路，将晶圆搬出/搬入前述处理室；排气通路，将前述处理室内之处理气体排出；以及面状的加热单元，为了将前述供给通路、搬送通路、处理室、及排气通路中至少一个的内壁面加热，而以可装卸自如之方式形成为以一对金属板包夹并覆盖薄板状的电阻发热体的同时，由内侧覆盖前述内壁面而且使其一部分拉出至外部；前述加热单元系将前述一对金属板之缘部中拉出至外部之区域之缘部予以开放，而暴露于处理气体之区域之缘部系藉由衬垫予以密闭。