于半导体装置中制造凹槽通道的方法

摘要

一种制造一凹槽通道于一半导体装置中的方法，包含：形成一硬遮罩图案于一基板上，利用该硬遮罩图案蚀刻该基板以形成第一凹槽，形成一隔离层于该硬遮罩图案与该第一凹槽上，蚀刻该隔离层以于该第一凹槽之侧壁上与该硬遮罩图案之侧壁上形成间隔，利用包含气体混合物之硫代氟化物蚀刻在该第一凹槽下的基板以形成第二凹槽；以及去除该硬遮罩图案与该间隔。

主权项

一种制造一凹槽通道于一半导体装置中的方法,包含：形成一硬遮罩图案于一基板上；利用该硬遮罩图案蚀刻该基板以形成第一凹槽；形成一隔离层于该硬遮罩图案与该第一凹槽上；蚀刻该隔离层以于该第一凹槽之侧壁上与该硬遮罩图案之侧壁上形成间隔；利用包含气体混合物之硫代氟化物蚀刻在该第一凹槽下的基板以形成第二凹槽；以及去除该硬遮罩图案与该间隔。