Verbessern der Strukturintegrität von Dielektrika mit kleinem epsilon in Metallisierungssystemen von Halbleiterbauelementen unter Anwendung einer Risse verhindernden Materialschicht

摘要

Während der Herstellung von Metallisierungsschichten modernster Halbleiterbauelemente kann die Schädigung empfindlicher dielektrischer Materialien, etwa von ULK-Materialien, während eines CMP-Prozesses durch Ausüben einer kompressiven Verspannung deutlich verringert werden. Dies kann in einigen anschaulichen Ausführungsformen erreicht werden, indem eine kompressiv verspannte Deckschicht auf dem ULK-Material vorgesehen wird, wodurch die Ausbreitung von Mikrorissen in das ULK-Material hinein unterdrückt wird.