发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 A method of fabricating a semiconductor device includes depositing a mask of low melting point material on a surface of the semiconductor device; depositing a layer to be structured relative to the mask; and removing the mask of low melting point material.
申请公布号 US2010102422(A1) 申请公布日期 2010.04.29
申请号 US20080256646 申请日期 2008.10.23
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 BEER GOTTFRIED;MENGEL MANFRED
分类号 H01L23/495;H01L21/311;H01L21/50;H01L21/60 主分类号 H01L23/495
代理机构 代理人
主权项
地址