| 发明名称 | LDMOS功率器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种LDMOS功率器件，包括衬底、衬底上的第一导电类型外延层、以及形成于第一导电类型外延层上的源极区和漏极区，所述源极区与衬底导电连接，所述衬底为与第一导电类型相反的第二导电类型衬底。本发明在不用降低其它参数指标的前提下，减小了栅极到源极的电容Cgs和漏极到源极的电容Cds，实现了射频条件下器件高增益和高效率的工作。 | ||
| 申请公布号 | CN101699630A | 申请公布日期 | 2010.04.28 |
| 申请号 | CN200910246051.1 | 申请日期 | 2009.11.19 |
| 申请人 | 苏州远创达科技有限公司;远创达科技(香港)有限公司;远创达科技(开曼)有限公司 | 发明人 | 马强;陈强 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 范晴 |
| 主权项 | 一种LDMOS功率器件，包括衬底(1)、衬底(1)上的第一导电类型外延层(2)、以及形成于第一导电类型外延层(2)上的源极区和漏极区，所述源极区与衬底(1)导电连接，其特征在于：所述衬底(1)为与第一导电类型相反的第二导电类型衬底(1a)。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区林泉街399号东大苏州研究院1号楼408室 | ||