| 发明名称 | 半导体器件封装结构及其封装方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件封装结构及其封装方法。其中半导体器件封装结构，包括：芯片，位于芯片上的钝化层；位于钝化层上的焊盘；贯穿芯片和钝化层厚度至露出焊盘的第一通孔；位于第一通孔内壁的籽晶层；位于籽晶层上的导体层，填充满第一通孔的导电层；由第一通孔内的籽晶层、导体层和导电层构成第一导电插塞；贯穿芯片和钝化层厚度至露出焊盘且位于第一通孔周围与第一通孔共用侧壁的第二通孔；位于芯片上、填充满第二通孔且暴露出第一导电插塞的绝缘介质层；位于第一导电插塞及其周边区域的绝缘介质层上的凸点下金属层；位于凸点下金属层上的凸点。本发明避免了TSV互连间形成了很高的电容，提高了半导体封装结构的电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101699622A | 申请公布日期 | 2010.04.28 |
| 申请号 | CN200910222168.6 | 申请日期 | 2009.11.18 |
| 申请人 | 晶方半导体科技(苏州)有限公司 | 发明人 | 王宥军;王之奇;俞国庆;邹秋红;王蔚 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种半导体器件封装结构，包括：芯片，位于芯片上的钝化层，位于钝化层上的焊盘，贯穿芯片和钝化层厚度至露出焊盘的第一通孔，位于第一通孔内壁的籽晶层，位于籽晶层上的导体层，填充满第一通孔的导电层，由第一通孔内的籽晶层、导体层和导电层构成第一导电插塞；其特征在于，还包括：贯穿芯片和钝化层厚度至露出焊盘且位于第一通孔周围与第一通孔共用侧壁的第二通孔，位于芯片上、填充满第二通孔且暴露出第一导电插塞的绝缘介质层，位于第一导电插塞及其周边区域的绝缘介质层上的凸点下金属层，位于凸点下金属层上的凸点。 | ||
| 地址 | 215126 江苏省苏州市苏州工业园区星龙街428号苏春工业坊11B/C | ||