每一存储单元电荷存储元件具有双重控制栅极的闪速存储单元阵列

摘要

本发明揭示一种闪速NAND型EEPROM系统，其中一电荷存储元件(例如浮动栅极)阵列中的各单独电荷存储元件与至少两条控制栅极线电容性耦合。所述控制栅极线较佳定位于浮动栅极之间以便与浮动栅极的侧壁耦合。结果，存储单元耦合比合乎期望地增大。一所选行的浮动栅极的相对侧上的两条控制栅极线通常被升高至相同电压，同时耦合至紧邻所选行并位于所选行的相对侧上的未选行的浮动栅极的第二控制栅极线则保持低电压。为选择性地在所选浮动栅极的区域中升高衬底电压，控制栅极线也可与衬底电容性耦合。可通过形成一间隔层蚀刻掩膜使浮动栅极的长度及控制栅极线的厚度小于工艺的最小分辨元件。

主权项

一种在一包括一定位于源极区与漏极区之间的一衬底表面上的电荷存储元件阵列的非易失性存储器中改变或确定所述存储元件中所指定的存储元件的电荷状态的方法，其包括：对至少一第一及一第二控制栅极施加第一电压电平，所述第一及第二控制栅极均与所述所指定的存储元件电容性耦合，以便联合使所述所指定的存储元件的所述电荷状态得到改变或确定，同时对至少一第三控制栅极施加一第二电压电平，所述至少一第三控制栅极与一第一组同时与所述第一或第二控制栅极中的一个控制栅极耦合的未指定的存储元件电容性耦合，以便联合使所述第一组未指定的存储元件的电荷状态既不会改变也不会得到确定，及同时对额外的控制栅极施加第三电压电平，其他未指定的存储元件与所述额外的控制栅极中的至少两个控制栅极电容性耦合，以便联合使所述其他未指定的存储元件的电荷状态既不会改变也不会得到确定。