| 发明名称 | 制备纳米级超薄绝缘体上硅衬底的可控性腐蚀法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体硅微机械加工技术领域，是一种在室温下通过氨水湿法可控性腐蚀来制备超薄纳米级绝缘体上硅衬底。该腐蚀法，包括下列步骤：(a)先对绝缘体上硅衬底片子进行去油处理，稀释氢氟酸漂洗；(b)将(a)步中处理过的绝缘体上硅衬底片子平放于腐蚀容器的底面上；(c)再在腐蚀容器中用氨水水溶液进行超薄腐蚀加工。本发明为解决大失配外延生长提供了一种可行的衬底材料和这种衬底材料的制备方法。而且，该操作工艺简单，操作可控性强，可重复性好，可以多个片子同时处理。 | ||
| 申请公布号 | CN1681091B | 申请公布日期 | 2010.04.28 |
| 申请号 | CN200410034259.4 | 申请日期 | 2004.04.05 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王晓峰;曾一平;黄风义;王保强;朱占平 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;C23F1/24(2006.01)I;B81B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种制备纳米级超薄绝缘体上硅衬底的可控性腐蚀法，其特征在于：包括下列步骤：(a)先对绝缘体上硅衬底片子进行去油处理，稀释氢氟酸漂洗；(b)将(a)步中处理过的绝缘体上硅衬底片子平放于腐蚀容器的底面上；(c)再在腐蚀容器中用氨水水溶液进行超薄腐蚀加工。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||