发明名称 |
在衬底上形成的互连结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种形成后段制程(BEOL)互连结构的方法。该方法和所得的结构包括低k介电材料的回蚀。具体地说,把低介电常数的材料集成到含有介电常数较高(即4.0或更高)的介电材料的双或单镶嵌布线结构。镶嵌结构包括与金属互连紧密相邻的较高介电常数的材料,从而从这些材料的机械特性中受益,同时在互连层的其它区域引入较低介电常数的材料。 |
申请公布号 |
CN1638089B |
申请公布日期 |
2010.04.28 |
申请号 |
CN200410070537.1 |
申请日期 |
2004.08.03 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
A·K·斯坦帕;E·C·库尼三世;J·P·甘比诺;T·J·达尔顿;J·A·菲兹赛蒙斯;L·M·尼科尔森 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
于静;李峥 |
主权项 |
一种在衬底上形成互连结构的方法,该方法包括以下步骤:在衬底上淀积至少一个介质层,该介质层由至少一个第一介电材料构成;在介质层中嵌入至少一个导电互连,该导电互连的侧壁与第一介电材料接触;在介质层的选择区域中去除部分第一介电材料,从而在介质层中形成至少一个开口,由此导电互连的侧壁保持与第一介电材料接触,其中通过包括如下步骤的方法去除部分第一介电材料:在每个导电互连上形成帽盖,帽盖的横向宽度大于导电互连的横向宽度,从而掩蔽介质层的与导电互连相邻的部分,而不掩蔽介质层的其余部分,并去除没有被帽盖掩蔽的介质层的区域中的第一介电材料部分;以及用第二介电材料填充开口。 |
地址 |
美国纽约 |