发明名称 处理光束的方法、激光照射装置以及制造半导体器件的方法
摘要 用于照射待热处理的非单晶半导体膜上的激光束能量是均匀分布的。从诸如YAG激光器的固体激光器获得的激光束,其中YAG激光器容易在基于简单分开和合并激光束的常规方法的光学系统中导致干涉,但是与受激准分子激光器相比可以维持较低的成本。固体激光器可以通过准直偏振面振荡形成激光束。通过利用一个λ/2片形成偏振方向彼此独立的两激光束,并通过一个阶梯形的石英块进一步形成多个激光束,并行进不同的光程。这些激光束通过光学系统在照射面上或其附近合并成一束,由此形成一个干涉性被有效地限制、并且能量分布高度均匀的均匀激光束。
申请公布号 CN1697144B 申请公布日期 2010.04.28
申请号 CN200510074007.9 申请日期 2001.09.01
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 田中幸一郎
分类号 H01L21/324(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;G02F1/01(2006.01)I;G02F1/35(2006.01)I;B23K26/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/324(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 梁永
主权项 一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:在衬底上形成半导体膜;振荡激光束;在垂直于激光束行进方向的第一方向上把该激光束分成两束激光束,该两激光束具有相互独立的偏振方向;在垂直于第一方向的第二方向上把该两激光束分成多束激光束,该多束激光束具有彼此不同的光程;和在照射平面上或其附近把该多个激光束合并成一束激光束;和用所述合并的一束激光束照射以结晶所述半导体膜。
地址 日本神奈川县厚木市