旋涂、可光致图案形成的层间介电材料的应用以及使用这种材料的中间半导体器件结构

摘要

一种使得可光致图案形成的旋涂材料能够在此前不能使用的波长下用于形成半导体器件结构的罩层。所述可光致图案形成的旋涂材料以层的形式施涂在半导体基片上。在可光致图案形成的层上形成罩层和光刻胶层。罩层吸收或反射辐射，保护可光致图案形成的层不受使光刻胶层形成图案时所用的第一波长的辐射。所述可光致图案形成的旋涂材料当暴露于第二波长的辐射之下时可以转化为二氧化硅基材料。

主权项

一种形成中间半导体器件结构的方法，该方法包括以下步骤：在半导体基片上形成可光致图案形成的层，该可光致图案形成的层包含选自硅聚合物、聚亚甲硅基化合物和聚硅氮烷化合物的有机硅光刻胶材料；在可光致图案形成的层上形成罩层，该罩层包括阻挡辐射射入可光致图案形成的层的材料；在罩层上形成光刻胶层，该光刻胶层包含对100-500纳米波长的辐射敏感的光刻胶材料；使部分光刻胶层和罩层暴露于第一波长的辐射之下，从而形成高分辨率图案；除去光刻胶层和罩层暴露的部分，从而暴露出部分的可光致图案形成的层，而光刻胶层和罩层余下的部分留在可光致图案形成的层上；以及使可光致图案形成层暴露的部分受到第二波长的辐射，从而将可光致图案形成层暴露的部分转化为二氧化硅基材料，而光刻胶层和罩层余下的部分继续保护可光致图案形成层未暴露的部分不受辐射。