发明名称 |
记录介质衬底和具有有良好膜质量的无电镀膜的记录介质 |
摘要 |
本发明公开了一种记录介质衬底和具有有良好膜质量的无电镀膜的记录介质。记录介质衬底在其表面上具有用于形成无电镀膜的基础膜,或者具有这样的基础膜以及形成于其上的无电镀膜。基础膜包含合金,该合金含有选自Co和Cu的一种金属元素和具有比所述金属元素更大电离倾向的元素。例如,使用这样的记录介质衬底可以制造记录介质。 |
申请公布号 |
CN1725302B |
申请公布日期 |
2010.04.28 |
申请号 |
CN200410091331.7 |
申请日期 |
2004.11.19 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
川野浩康;马田孝博;守部峰生 |
分类号 |
G11B5/66(2006.01)I;G11B5/667(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 |
代理人 |
赵飞 |
主权项 |
一种具有分层结构的记录介质,包含衬底、形成于所述衬底上的基础膜、在所述基础膜上以无电镀膜形成的软磁性层和形成于所述软磁性层上方的记录层;其中,所述基础膜包含合金,所述合金含有选自Ni和Co的一种金属元素和具有比所述金属元素更大电离倾向的元素。 |
地址 |
日本神奈川县 |