| 发明名称 | 消除半导体晶片边缘区图形缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种消除半导体晶片边缘区图形缺陷的方法，本发明方法的特征是，在对形成光刻胶图形的显影工艺步骤之后增加了用溶剂清洗半导体晶片边缘的工艺步骤。消除了半导体晶片边缘区中的收缩变形图形，防止了在随后进行的工艺过程中半导体晶片边缘区中的收缩变形图形剥离而在半导体晶片上的其他合格图形上造成出现缺陷，提高了产品合格率。 | ||
| 申请公布号 | CN1885159B | 申请公布日期 | 2010.04.28 |
| 申请号 | CN200510027096.1 | 申请日期 | 2005.06.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 陈自凡;蔡奇澄;姚欣;林爱钦;庄晓辉 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 李勇 |
| 主权项 | 消除半导体晶片边缘区图形缺陷的方法，包括以下工艺步骤：(1)在半导体晶片表面上涂覆光刻胶；(2)对光刻胶曝光；(3)显影；(4)用OK73或丙酮清洗半导体晶片边缘区，除去半导体晶片边缘区中的光刻胶收缩变形图形；(5)检查；(6)腐蚀。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||