| 发明名称 | 富镓氮化镓薄膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种富镓氮化镓薄膜的制造方法。该方法包括：(a)制备含有镓源和氮源的反应混合物，选择镓源和氮源以使得当它们彼此反应时形成氮化镓；以及(b)通过以下方法由该反应混合物生长富镓氮化镓薄膜：在大约480℃至大约900℃的温度下并且在氧气分压小于10-4托的气态环境中，使镓源与氮源反应并在衬底上沉积氮化镓，该衬底选自硅，玻璃，蓝宝石，石英和具有与氮化镓相近的点阵常数的结晶材料，包括氧化锌，任选带有氧化锌缓冲层，其中该富镓氮化镓薄膜中镓原子和氮原子的比率为1.01至1.20。本发明还提供了一种选择，即在大约20℃至大约650℃的温度下，退火该富镓氮化镓薄膜并保持足以将其电阻率降低至可以导电的程度(例如小于100ohm.cm)的时间。 | ||
| 申请公布号 | CN1662448B | 申请公布日期 | 2010.04.28 |
| 申请号 | CN03813924.3 | 申请日期 | 2003.05.19 |
| 申请人 | 盖利姆企业私人有限公司 | 发明人 | K·S·A·巴彻;T·L·坦斯利;阿菲富丁 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张平元 |
| 主权项 | 一种富镓氮化镓薄膜的制造方法，包括：-(a)制备含有镓源和氮源的反应混合物，选择该镓源和氮源，以使得当它们互相反应时生成氮化镓；和-(b)通过以下方法由所述反应混合物生长富镓氮化镓薄膜：在大约480℃至大约900℃的温度下并且在氧分压小于10-4托的气态环境中，使所述镓源与氮源反应并在衬底上沉积氮化镓，其中该富镓氮化镓薄膜中镓原子与氮原子的比率为1.01至1.20。 | ||
| 地址 | 澳大利亚新南威尔士 | ||