氮化镓基化合物半导体发光器件

摘要

本发明的一个目的是提供一种具有低驱动电压和高发光输出的氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有正电极，所述正电极包括与p型半导体层形成直接接触的透明导电层。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括依次形成在衬底上的n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中每一层包括氮化镓基化合物半导体，所述发光器件具有分别设置在所述n型半导体层上和所述p型半导体层上的负电极和正电极，所述正电极至少部分地由透明导电膜形成，所述透明导电膜至少部分地与所述p型半导体层接触，在所述透明导电膜的半导体侧表面上存在包含III族金属成分的半导体金属混合层，并且所述半导体金属混合层的厚度为0.1至10nm。

主权项

一种氮化镓基化合物半导体发光器件，具有包括氮化镓基化合物的p型半导体层和与该p型半导体层接触的透明导电膜，在该透明导电膜上存在相对于所有金属成分含有20原子％或更高的构成半导体的金属的区域。