发明名称 可修改配置参数的DDR2控制器
摘要 本实用新型公开一种可修改配置参数的DDR2控制器,是与物理层、读数据存储缓冲器还相接有可配置参数控制器,可配置参数控制器设有单片机控制器,单片机控制器与状态寄存器相接并通过地址译码器、数据多路复用电路与频率寄存器、控制寄存器、数据接口寄存器及地址寄存器相接,频率寄存器通过时钟控制器与输入同步电路相接,控制寄存器和状态寄存器与开始、停止和仲裁控制电路相接,数据接口寄存器与输入/输出数据转换寄存器、地址比较器相接,地址寄存器与地址比较器相接;时钟控制器、输入同步电路与开始、停止和仲裁控制电路相接,时钟电路还与输入/输出数据转换寄存器相接;开始、停止和仲裁控制电路与输入/输出数据转换寄存器、地址比较器相接。
申请公布号 CN201444394U 申请公布日期 2010.04.28
申请号 CN200920016275.9 申请日期 2009.08.13
申请人 中国华录·松下电子信息有限公司 发明人 牟建华;王丹;唐忠华;周良碧;陈易;王延伟;赵立杰
分类号 G09G5/36(2006.01)I 主分类号 G09G5/36(2006.01)I
代理机构 大连非凡专利事务所 21220 代理人 闪红霞
主权项 一种可修改配置参数的DDR2控制器,有相连接的DDR控制电路及物理层,与DDR控制电路相接有读/写地址存储缓冲器,与物理层相接有写数据存储缓冲器、读数据存储缓冲器,其特征在于:与物理层、读数据存储缓冲器还相接有可配置参数控制器,所述可配置参数控制器设有单片机控制器,单片机控制器与状态寄存器相接并通过地址译码器、数据多路复用电路与频率寄存器、控制寄存器、数据接口寄存器及地址寄存器相接,频率寄存器、控制寄存器、状态寄存器、数据接口寄存器及地址寄存器相互通信连接;频率寄存器通过时钟控制器与输入同步电路相接,控制寄存器和状态寄存器与开始、停止和仲裁控制电路相接,数据接口寄存器与输入/输出数据转换寄存器、地址比较器相接,地址寄存器与地址比较器相接;时钟控制器、输入同步电路与开始、停止和仲裁控制电路相接,时钟电路还与输入/输出数据转换寄存器相接;开始、停止和仲裁控制电路与输入/输出数据转换寄存器、地址比较器相接。
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