发明名称 | 一种高聚物梯度孔隙率宽波抗反射膜的制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种高分子梯度孔隙率宽波抗反射薄膜的制备方法。将聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯的嵌段聚合物和聚甲基丙烯酸甲酯的均聚物的共混物,在经过十八烷基氯硅烷改性的基底上形成高聚物梯度孔隙率宽波抗反射膜。而实现了同时在可见光区和近红外光区的>97%的高透过。这种工艺路线的优点是制作方法简单不需要复杂后处理过程,容易实现全波段的高透过。 | ||
申请公布号 | CN101698572A | 申请公布日期 | 2010.04.28 |
申请号 | CN200910217781.9 | 申请日期 | 2009.10.29 |
申请人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明人 | 韩艳春;李晓 |
分类号 | C03C17/42(2006.01)I | 主分类号 | C03C17/42(2006.01)I |
代理机构 | 长春科宇专利代理有限责任公司 22001 | 代理人 | 马守忠 |
主权项 | 一种高分子梯度孔隙率宽波抗反射薄膜的制备方法,其特征在于步骤和条件如下:(1)对基底进行OTS改性将清洁的基底放入体积分数为0.05~0.15%的OTS的正己烷溶液中浸泡3~10分钟,然后以纯正己烷清洗浸渍后的基底,将基底表面吹干;所述的基底是玻璃或具有铟锡氧化物镀层的导电玻璃(以下简称ITO玻璃);(2)将四氢呋喃与甲苯形成混合溶剂,混合溶剂中四氢呋喃所占体积百分比为2~50%,将高聚物加入混合溶剂中配制浓度为18~36毫克/毫升的溶液;所述高聚物为PS-b-PMMA和PMMA的共混物,其中,均聚物PMMA占高聚物的总质量的百分比为5~50%;(3)在由步骤(1)中制备的基底上旋涂步骤(2)中配制的溶液,在基底表面形成高聚物薄膜,以紫外光辐照高聚物薄膜2~4个小时使其中的PMMA降解,然后浸泡在乙酸中0.5~1.5小时,最后用去离子水清洗具有高聚物薄膜的基底,将基底表面吹干,得到一种高聚物梯度孔隙率宽波抗反射膜。 | ||
地址 | 130022 吉林省长春市人民大街5625号 |