内容可寻址磁性随机访问存储器

摘要

内容可寻址磁性随机访问存储器单元包含MTJ的差动连接对和连接到MTJ的比较和匹配检测电路，并且包含差动标签位线、差动标签编程位线、使能线、字线、数元线和匹配线。匹配线提供有关差动标签位线上放置的输入数据和单元中的存储数据之间的匹配的指示。

主权项

一种内容可寻址磁性随机访问存储器单元，包括：其第一端通过第一串联对的晶体管(21、22)连接到第一接点(24)的第一磁隧道结(12)，和其第一端通过第二串联对的晶体管(25、26)连接到第二接点(27)的第二磁隧道结(14)，第一磁隧道结(12)的第二端连接到编程位线(PBL)，第二磁隧道结(14)的第二端连接到编程反转位线(PBLN)，第一串联对的晶体管(21、22)中的第一个晶体管(21)的控制端子连接到使能线(EN)，而第二串联对的晶体管(25、26)中的第一个晶体管(25)的控制端子连接到使能线(EN)；第一接点(24)通过第一晶体管(34)连接到位线(BL)，其中该第一晶体管(34)的控制端子连接到字线(WL)，第二接点(27)通过第二晶体管(35)连接到反转位线(BLN)，其中该第二晶体管(35)的控制端子连接到字线(WL)；第一接点(24)通过第一使能晶体管(31)连接到电源输入端(Vdd)，其中该第一使能晶体管(31)的控制端子连接到使能线(EN)，第二接点(27)通过第二使能晶体管(32)连接到电源输入端(Vdd)，其中该第二使能晶体管(32)的控制端子连接到使能线(EN)；第一接点(24)通过第一差动晶体管(28)连接到电源输入端(Vdd)，其中该第一差动晶体管(28)的控制端子连接到第一串联对的晶体管(21、22)中的第二个晶体管(22)的控制端子和第二接点(27)，而第二接点(27)通过第二差动晶体管(29)连接到电源输入端(Vdd)，其中该第二差动晶体管(29)的控制端子连接到第二串联对的晶体管(25、26)中的第二个晶体管(26)的控制端子和第一接点(24)；和第一串联对的匹配晶体管(37、38)，连接在电源输入端(Vdd)和匹配线(ML)之间，其中所述第一对匹配晶体管(37、38)中的第一个匹配晶体管(37)的控制端子连接到位线(BL)，并且所述第一对匹配晶体管(37、38)中的第二个匹配晶体管(38)的控制端子连接到第二接点(27)，以及第二串联对的匹配晶体管(40、41)，连接在电源输入端(Vdd)和匹配线(ML)之间，其中所述第二对匹配晶体管(40、41)中的第一个匹配晶体管(41)的控制端子连接到反转位线(BLN)，并且所述第二对匹配晶体管(40、41)中的第二个匹配晶体管(40)的控制端子连接到第一接点(24)。