| 发明名称 |
PROCEDE DE TRAITEMENT DE DEFAUTS D'INTERFACE DANS UN SUBSTRAT. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2918792(B1) |
申请公布日期 |
2010.04.23 |
| 申请号 |
FR20070056370 |
申请日期 |
2007.07.10 |
| 申请人 |
S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES |
发明人 |
MAZURE CARLOS;CAYREFOURCQ IAN;BOURDELLE KONSTANTIN |
| 分类号 |
H01L21/322;H01L21/265;H01L21/324 |
主分类号 |
H01L21/322 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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