METHOD FOR PRODUCING A (OO1)-TEXTURED CRYSTAL LAYER FROM A PHOTOACTIVE LAYERED SEMICONDUCTOR ON A METAL CONDUCTIVE LAYER USING A METAL PROMOTER

摘要

Schichtgitter-Halbleiter verfügen über einen wesentlich höheren Absorptionskoeffizienten für sichtbares Licht als Silizium und sind somit als Absorbermaterialien in Dünnschichtsolarzellen besonders interessant. (001)-texturierte Kristallschichten mit einem zweidimensionalen Kristallwachstum parallel zur Basalebene lassen sich unter Anwesenheit eines Metallpromoters bislang nur in ausreichender Qualität auf Isolator- oder extrem teuren Metallsubstraten oder -schichten aufwachsen. Erfindungsgemäß wird ein erstes Alternativverfahren (Figur 4E) angegeben, bei dem die als Diffusionspfade wirkenden Korngrenzen in der polykristallinen metallisch leitfähigen Schicht (02) durch ein Absättigungsmaterial, bevorzugt Metallpromoter oder Sauerstoff, inaktiviert werden. Die abzusättigende metallisch leitfähige Schicht (09) kann damit beliebiger Oberflächenqualität sein. Als zweites Alternativverfahren (Figur 6C) wird eine direkte Kristallisation der Schichtgitter-Halbleiterschicht unter teilweiser Chalkogenisierung einer zur Bildung von Schichtgitter-Halbleitern geeigneten Vorläufer-Metallschicht (10) vorgeschlagen, wobei eine dünne Vorläufer-Metallschicht (11) nicht umgewandelt wird und somit - wie auch die abgesättigte Metallschicht (09) - als preiswerter Rückkontakt in einer Dünnschicht-Solarzelle eingesetzt werden kann.