| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Detektormaterial für einen Detektor zur Verwendung in CT-Systemen, insbesondere in Dual-Energy-CT-Systemen, bestehend aus einem dotierten Halbleiter. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass der Halbleiter mit einem Donator in einer Konzentration dotiert ist, wobei die Konzentration des Donators mindestens 50% seiner maximalen Löslichkeit im Halbleitermaterial entspricht, und der Donator im Halbleitermaterial flache Störstellen mit einer Anregungsenergie ED flach bildet. Die flachen Störstellen können ionisiert werden und zusätzliche frei bewegliche Ladungsträger bereitstellen. Diese frei beweglichen Ladungsträger können von den räumlich getrennten tiefen Störstellen eingefangen werden und so die Anzahl der geladenen tiefen Störstellen reduzieren. Daraus ergibt sich, dass reine zeit-und strahlungsabhängigen Effekte, wie zum Beispiel Polarisation,mehr auftreten Außerdem betrifft die Erfindung auch die Verwendung dieses Detektormaterials in einem CT- oder Dual-Energy-CT-System zur Erzeugung tomographischer Aufnahmen eines Untersuchungsobjektes.</p> |
