Oberflächenbehandlungsverfahren für Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter, Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter, Verfahren zum Herstellen desselben sowie Gruppe-III-Nitrid-Halbleiterstruktur

摘要

Geschaffen wird ein Oberflächenbehandlungsverfahren eines Gruppe-III-Nitrid-Halbleiters, das Bereitstellen eines Gruppe-III-Nitrid-Halbleiters, der eine erste Fläche, die eine Gruppe-III-Polarität hat, und eine zweite Oberfläche enthält, die der ersten Oberfläche gegenüberliegt und eine Stickstoff-Polarität hat, und Bestrahlen der zweiten Oberfläche mit einem Laserstrahl einschließt, um die Stickstoff-Polarität der zweiten Oberfläche zu der Gruppe-III-Polarität zu ändern.