发明名称 Verfahren zur Herstellung einer waferbasierten, rückseitenkontaktierten Hetero-Solarzelle und mit dem Verfahren hergestellte Hetero-Solarzelle
摘要 <p>Rückseitenkontaktierungen erfordern Absorber-Kontaktsysteme mit Punkt- oder Streifenkontakten, die durch den Schichtenaufbau auf dem Absorberwafer hindurchgreifen. Bekannte Herstellungsverfahren erzeugen zuerst den Schichtenaufbau und strukturieren diesen anschließend. Aufwändige und auflösungsbegrenzende Strukturierungsmaßnahmen, insbesondere aufwändiges lasergestütztes Löcherbohren, sind erforderlich. Bei der Erfindung werden zuerst die Punkt- oder Streifenkontakte (07) vorgegebener Höhe und Verteilung auf den Absorberwafer (01) aufgebracht, sodass als nachfolgend aufgebrachten funktionalen Schichten diese umschließen und dadurch implizit strukturiert werden. Dadurch entfallen sämtliche auflösungsbegrenzende Strukturierungsschritte. Zur Vermeidung von Kurzschlüssen und zur Kontaktierung werden einzelne funktionale Schichten auf den Punkt- oder Streifenkontakten (07) selektiv wieder entte (07) Steilflanken (08) auf, die während des Schichtenaufbaus gegenüber horizontalen Flächen mit geringeren Schichtdicken belegt werden. Diese sind selektiv entfernbar, da bei der Entfernung auf den horizontalen Flächen noch Schichtdicken verbleiben. Hergestellte Hetero-Solarzellen (18) weisen bevorzugt Punktkontakte (07) in Form von Nadeln (10) oder Streifenkontakte in Form von Schneiden auf.</p>
申请公布号 DE102008051521(A1) 申请公布日期 2010.04.22
申请号 DE20081051521 申请日期 2008.10.13
申请人 HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FUER MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH 发明人 STANGL, ROLF
分类号 H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 主分类号 H01L31/18
代理机构 代理人
主权项
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