发明名称 |
二氧化碳超临界流体对薄膜元件进行表面处理的方法及装置 |
摘要 |
对于含有奈米碳材与触媒颗粒的浆料之「薄膜元件」(film element),通以二氧化碳超临界流体(supercritical fluid)进行表面处理,可以去除碳材表面与触媒颗粒之表面的不纯物(impurity),以便提升碳材的有效表面积(specific surface area)与触媒颗粒之有效表面积。本技艺将二氧化碳超临界流体,注入到高压槽中与待处理之薄膜元件相接触,使得覆盖在碳基材表面、以及覆盖在触媒颗粒之表面的不纯物可以被二氧化碳超临界流体溶解去除因而大幅度地提高薄膜元件的品质和性能。 |
申请公布号 |
TWI323747 |
申请公布日期 |
2010.04.21 |
申请号 |
TW095137457 |
申请日期 |
2006.10.12 |
申请人 |
林景中 |
发明人 |
林景中;穆恒;穆哲咏 |
分类号 |
C23C16/455;C23C16/52 |
主分类号 |
C23C16/455 |
代理机构 |
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代理人 |
刘元君 |
主权项 |
一种二氧化碳超临界流体的薄膜元件表面改质方法,包含(1)准备高压槽,放置薄膜元件;(2)准备高压帮浦,产生二氧化碳超临界流体,注入前述之高压槽,处理前述之薄膜元件;(3)准备低压分离槽,安置于前述之高压槽的下游方向,分离出不纯物;以及(4)准备收集容器,容纳前述之不纯物。 |
地址 |
新竹市明湖路221巷26号 |