高功率高指向性矩阵式半导体发光元件封装装置

摘要

一种高功率高指向性矩阵式半导体发光元件封装装置，其包括有：一金属基座、一阵列晶片、以及若干金属线。金属基座是以导热性佳之铜或铝所构成。于金属基座上设有相互电性隔离之一第一电极区以及至少一第二电极区。阵列晶片系设置于该第一电极区上，其上并设有复数个矩阵式排列之半导体发光元件、以及位于发光元件旁之至少一打线区。该发光元件可以是垂直面射型雷射(VCSEL)元件、水平面射型雷射(HCSEL)元件、或小角度发光二极体(RCLED)元件。金属线系连接于打线区与第二电极区之间以传递电源讯号。于阵列晶片底面与第一电极区之间设有导热性佳之导电胶例如锡膏来将两者接着，使阵列晶片之底面与第一电极区两者电性连接。

主权项

一种高功率高指向性矩阵式半导体发光元件封装装置，包括有：一金属基座，其具有一承载面，于该承载面上设有一第一电极区以及至少一第二电极区，该第一电极区与该至少一第二电极区之间系藉由一绝缘结构加以电性隔离；一阵列晶片，其系设置于该第一电极区上，于该阵列晶片之一作动面上并设有复数个矩阵式排列之半导体发光元件、以及位于该些发光元件旁之至少一打线区；以及若干金属线，连接于该至少一打线区与该至少一第二电极区之间。