场效电晶体

摘要

本发明揭示包括由含有In与Zn之氧化物半导体材料所组成的通道之场效电晶体。以In/(In＋Zn)表示之原子组成比不小于35原子%，且不大于55原子%。该氧化物半导体材料中不包括Ga，或其中包括Ga时，以Ga/(In＋Zn＋Ga)表示之原子组成比设为30原子%或以下。该电晶体具有经改良S值与场效移动性。

主权项

一种场效电晶体，其包括由包含In与Zn之氧化物半导体材料所制得之通道，其中以In/(In+Zn)表示之原子组成比不小于35原子%且不大于55原子%；而且其中该氧化物半导体材料中不包括Ga，或当其中包括Ga时，以Ga/(In+Zn+Ga)表示之原子组成比系为30原子%或以下。