用以制造一柱状相转换记忆元素之方法

摘要

一种用以制造一次特征尺寸柱状结构于一积体电路上之方法。此方法首先提供一基板，此基板之上系形成有一相转换层、一电极层、以及一硬遮罩层。接着藉由微影图案化、蚀刻、并剥除一光阻层而形成一特征尺寸硬遮罩，再缩减此硬遮罩至一选定之次特征尺寸，其中此缩减步骤系对于此电极与此相转换层以及此硬遮罩具有高度选择性。最后的步骤系缩减此电极与相转换层至此硬遮罩之尺寸，并移除此硬遮罩。

主权项

一种制造一次特征尺寸柱状结构于一积体电路上之方法，包括下列步骤：提供一基板，该基板之上系形成有一相转换层、一电极层、以及一硬遮罩层；藉由微影图案化、蚀刻、并剥除一光阻层而形成一特征尺寸硬遮罩；缩减该硬遮罩至一选定之次特征尺寸，其中该缩减步骤系对于该电极与该相转换层以及该硬遮罩具有高度选择性；缩减该电极与相转换层至该硬遮罩之该尺寸；以及移除该硬遮罩。