于半导体元件中形成金属矽化物的方法

摘要

本发明系一种于半导体元件中形成金属矽化物的方法，该方法之步骤包括：在非金属矽化物区和金属矽化物区形成第一和第二闸氧化膜，第一闸氧化膜比第二闸氧化膜厚；形成一层导电层与一层氮基硬罩层，然后选择性的移除导电层、硬罩层、第一闸氧化膜及第二闸氧化膜，因此形成闸电极，并同时将金属矽化物区之主动层曝光；除了硬罩层，在第二导致结构之上面形成一层侧护壁氧化膜；选择性的移除侧护壁氧化膜，因此形成一层侧护壁，并同时将金属矽化物区之主动区曝光；移除硬罩层；以及在闸电极的上面，及在金属矽化物区之主动层的上面形成一层金属矽化物膜。因此，在单一晶片半导体元件中，可以选择性和同时的形成非金属矽化物区与金属矽化物区，以至于减少形成金属矽化物之制程步骤。

主权项

一种于半导体元件中形成金属矽化物的方法，该方法之步骤包括：(1)分别在矽基板之非金属矽化物区和金属矽化物区形成第一闸氧化膜和第二闸氧化膜，第一闸氧化膜比第二闸氧化膜厚；(2)在经由步骤(1)所得到之第一导致结构的上面形成一层导电层和一层氮基硬罩层，然后选择性的移除导电层、硬罩层、第一闸氧化膜及第二闸氧化膜，因此分别在非金属矽化物区和金属矽化物区形成闸电极，并且同时将金属矽化物区之主动层曝光；(3)除了硬罩层，在经由步骤(1)和(2)所得到之第二导致结构之上面形成一层侧护壁氧化膜；(4)选择性的移除侧护壁氧化膜，因此在各个闸电极之一边形成一层侧护壁，及同时将金属矽化物区之主动区曝光；(5)将仍在非金属矽化物区和金属矽化物区中之闸电极上面之硬罩层移除；及(6)在非金属矽化物区和金属矽化物区中之闸电极的上面，及在金属矽化物区之主动层的上面形成一层金属矽化物膜。