可改善抹除操作特性之非挥发性记忆元件及进行抹除操作的方法

摘要

一种进行抹除操作的方法，适用于具有多个记忆胞之非挥发性记忆元件。此方法是将至少一个在程式化之前在一抹除阶段具有在一第一区之临界电压位准之记忆胞程式化，该记忆胞在程式化之后具有在一第二区之临界电压位准，其中该第二区之临界电压高于该第一区之临界电压。抹除操作，是进行记忆胞位元的程式化，使负电荷载子或电子注入于记忆胞，替代传统将热电洞注入记忆胞之方式。此方法可以避免热电洞注入造成的室温漂移以及电荷损失。

主权项

一种进行抹除操作的方法，适用于具有多个记忆胞之非挥发性记忆元件，包括：在一抹除阶段，将至少一个在一第一区之临界电压位准之记忆胞程式化，该记忆胞在程式化之后具有在一第二区之临界电压位准，其中该第二区之临界电压高于该第一区之临界电压，其中该第一区之临界电压为一抹除起始临界电压。