一种在半导体制程中利用一延迟反转点技术以侦测充电效应之测试结构与方法

摘要

一种半导体制程测试结构其包括一闸极、一电荷捕捉层、以及一扩散区域。此测试结构系为一类电容结构，其中此电荷捕捉层将在不同制程步骤中捕捉电荷。接着可利用一电容－电压量测以侦测使否有产生一Vfb偏移。若此制程步骤产生了一充电效应，则所诱发的电荷将不均匀。若在测试结构中的电荷不均匀，则不会有一Vfb偏移。接着则可使用一延迟反转点技术，以监控此充电状态。

主权项

一种用以监控从一半导体制程步骤中所获得之一矽基板上所形成之一测试结构中之一电荷状态之方法，该方法包括：使该测试结构进入该半导体制程步骤；于该测试结构上实施一电容-电压(CV)量测以获得一电容-电压量变曲线；根据该量测与进入该半导体制程之前之一背景电容-电压量变曲线作比较而侦测在该电容-电压量变曲线中是否产生一平带偏移；以及当无偏移时，至少部分根据延迟反转点资讯而监控该测试结构之该电荷状态。