发明名称 嵌埋半导体晶片之电路板结构
摘要 一种嵌埋半导体晶片之电路板结构,系包括有一具有相对第一及第二表面之承载板,且该承载板具有至少一贯穿该第一及第二表面之开口;至少一容置于该开口中之半导体晶片,该半导体晶片具有一主动面及与其相对之非主动面,且该主动面具复数电极垫,该主动面具有一钝化层并露出该电极垫,又于该电极垫表面具有金属垫;缓冲层,系形成于该半导体晶片之钝化层表面,并包覆在该金属垫周围,仅露出该金属垫之上表面;介电层,系形成于该承载板之第一表面、半导体晶片之金属垫及缓冲层表面;以及线路层,系形成于该介电层表面,且该线路层可藉由形成于该介电层中之导电结构以电性连接该半导体晶片之金属垫,俾藉由该缓冲层以降低该介电层与半导体晶片接合面之应力。
申请公布号 TWI324029 申请公布日期 2010.04.21
申请号 TW095137862 申请日期 2006.10.14
申请人 欣兴电子股份有限公司 发明人 贾侃融
分类号 H05K1/18;H01L21/70 主分类号 H05K1/18
代理机构 代理人 陈昭诚
主权项 一种嵌埋半导体晶片之电路板结构,系包括:承载板,系具有一第一表面及与其相对之第二表面,且该承载板具有至少一贯穿该第一表面及第二表面之开口;半导体晶片,系容置于该开口中,该半导体晶片具有一主动面及与其相对之非主动面,且该主动面具复数电极垫,于该主动面具有一钝化层并露出该电极垫,又于该电极垫表面具有金属垫;缓冲层,系形成于该半导体晶片之钝化层表面,并包覆在该金属垫周围,仅露出该金属垫之上表面;介电层,系形成于该承载板之第一表面、半导体晶片之金属垫及缓冲层表面;以及线路层,系形成于该介电层表面,且该线路层藉由形成于该介电层中之导电结构以电性连接该半导体晶片之金属垫。
地址 桃园县桃园市龟山工业区兴邦路38号