发明名称 | 金属插塞的制作方法 | ||
摘要 | 一种接触窗开口的制作方法,包括先提供基底,此基底上已形成有介电层。然后,于介电层上形成非晶矽硬罩幕层,以暴露出介电层。再来,以非晶矽硬罩幕层为蚀刻罩幕,去除暴露出之介电层,以形成开口。最后,形成阻障层以覆盖开口之表面。本发明以非晶矽层作为硬罩幕层,由于其晶粒尺寸(Grain Size)微小的物理特性,因此,于阻障层中的钛金属层与非晶矽罩幕层介面上形成的矽化钛(TiSi2)层,将可被完全地移除,从而避免了漏电现象的产生。 | ||
申请公布号 | TWI323925 | 申请公布日期 | 2010.04.21 |
申请号 | TW095146393 | 申请日期 | 2006.12.12 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 廖建茂;施信益;吴昌荣;林正平 |
分类号 | H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/768 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | 一种金属插塞的制作方法,包括:提供一基底,该基底上已形成有一介电层;于该介电层上形成一非晶矽硬罩幕层,以暴露出该介电层;以该非晶矽硬罩幕层为蚀刻罩幕,去除暴露出之该介电层,以形成一开口;形成一阻障层覆盖该开口之表面和该非晶矽硬罩幕层;于该基底上形成一金属层并填满该开口;对该金属层进行一第一平坦化制程,以去除该开口以外的该金属层;以及进行一第二平坦化制程,以去除部份该阻障层与该非晶矽硬罩幕层。 | ||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |