| 发明名称 |
一种调制导通电阻UMOS晶体管 |
| 摘要 |
本发明提供了一种调制导通电阻UMOS晶体管。包括漏区(201)、漂移区(202)、场氧化层(203)、多晶硅极板(204)、沟道区(205)、源电极(206)、栅氧化层(207)、栅电极(208)，多晶硅极板(204)与栅电极(208)连接。可以根据器件具体导通特性、击穿特性的要求来具体设定器件各区域尺寸。这种结构可在不牺牲器件耐压的前提下，同时兼顾降低漏-源导通电阻的要求。本发明与常规UMOS晶体管工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。 |
| 申请公布号 |
CN101697356A |
申请公布日期 |
2010.04.21 |
| 申请号 |
CN200910073105.9 |
申请日期 |
2009.10.29 |
| 申请人 |
哈尔滨工程大学 |
发明人 |
王颖;胡海帆;曹菲 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种调制导通电阻UMOS晶体管，包括漏区(201)、漂移区(202)、场氧化层(203)、多晶硅极板(204)、沟道区(205)、源电极(206)、栅氧化层(207)、栅电极(208)，其特征在于：多晶硅极板(204)与栅电极(208)短接。 |
| 地址 |
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号1号楼哈尔滨工程大学科技处知识产权办公室 |
