一种ESD用均匀触发半导体硅控整流控制器

摘要

一种静电放电防护电路中用的均匀触发半导体硅控整流控制器，包括：P型半导体衬底，在P型半导体衬底上面分别设置有相邻的N型阱和P型阱，在N型阱中设有低浓度N型半导体区和P型半导体区，在低浓度N型半导体区、P型半导体区、N型半导体区和P型半导体区以外的区域设有场氧化层，在N型半导体区和P型掺杂半导体区上连有金属层，构成了横向半导体硅控整流控制器的阳极；在N型掺杂半导体区和P型半导体区上连有金属层，构成了横向半导体硅控整流控制器的阴极。在P型阱和N型阱交界处的场氧化层的下表面处设有高浓度P型场注入层，在N型阱中设有低浓度N型半导体区。其能够获得较低触发电压，并且有利于均匀触发的横向硅控整流器。

主权项

一种ESD用均匀触发半导体硅控整流控制器，包括：P型掺杂半导体衬底(1)，在所述P型掺杂半导体衬底(1)上面分别设置有相邻的N型掺杂阱(2)和P型掺杂阱(3)，在所述N型掺杂阱(2)中设有低浓度N型掺杂半导体区(5)和P型掺杂半导体区(6)，在所述低浓度N型掺杂半导体区(5)中设有N型掺杂半导体区(4)，在所述P型掺杂阱(3)中设有N型掺杂半导体区(7)和P型掺杂半导体区(8)，在所述低浓度N型掺杂半导体区(5)、P型掺杂半导体区(6)、N型掺杂半导体区(7)和P型掺杂半导体区(8)以外的区域设有场氧化层(10)，在所述低浓度N型掺杂半导体区(5)、P型掺杂半导体区(6)、N型掺杂半导体区(7)、P型掺杂半导体区(8)和场氧化层(10)的表面设有二氧化硅介质层(11)，在所述N型掺杂半导体区(4)和P型掺杂半导体区(6)上连有金属层(12)，构成了横向半导体硅控整流控制器的阳极；在所述N型掺杂半导体区(7)和P型掺杂半导体区(8)上连有金属层(13)，构成了横向半导体硅控整流控制器的阴极；在所述P型掺杂阱(2)和N型掺杂阱(3)交界处的场氧化层(10)的下表面处设有高浓度P型场注入层(9)，其特征在于，所述低浓度N型掺杂半导体区(5)完全包围N型掺杂半导体区(4)。