半导体集成电路装置

摘要

半导体集成电路装置能提升漏电流检测电路的检测灵敏度和提高响应。半导体集成电路装置具有在半导体衬底上具有多个MIS晶体管的内部电路；衬底电压控制块，将衬底电压提供给所述内部电路以控制该内部电路的MIS晶体管的阈值电压；漏电流检测电路，具有漏电流检测MIS晶体管和比较器，对于该漏电流检测MIS晶体管而言，将任意的电位的电源电压提供给源极，漏极与栅极连接并连接到恒流源，并由所述衬底电压控制块控制衬底电压，而所述比较器用于比较所述漏电流检测MIS晶体管的漏极电位和预定参考电位。其中，所述衬底电压控制块基于所述比较器的比较结果生成衬底电压，将所生成的衬底电压施加到所述漏电流检测MIS晶体管的衬底和所述内部电路的MIS晶体管的衬底。

主权项

一种半导体集成电路装置，包括：在半导体衬底上具有多个MIS晶体管的内部电路；衬底电压控制块，将衬底电压提供给所述内部电路以控制该内部电路的MIS晶体管的阈值电压；以及漏电流检测电路，具有漏电流检测MIS晶体管和比较器，对于该漏电流检测MIS晶体管而言，将任意的电位的电源电压提供给源极，漏极与栅极连接并连接到恒流源，并由所述衬底电压控制块控制衬底电压，而所述比较器用于比较所述漏电流检测MIS晶体管的漏极电位和预定参考电位，其中，所述衬底电压控制块基于所述比较器的比较结果生成衬底电压，将所生成的衬底电压施加到所述漏电流检测MIS晶体管的衬底和所述内部电路的MIS晶体管的衬底，所述衬底电压控制块包括：开关，安置在所述比较器的第一输入端和第二输入端以及所述漏电流检测MIS晶体管的漏极和参考电位端间；以及输入数据校正单元，当所述内部电路不操作时，通过使用所述开关，在所述漏电流检测MIS晶体管的漏极和参考电位端以及所述比较器的每一个输入端间进行切换，以执行两次衬底电压调整，取各个衬底电压设定值的平均值，并且当所述内部电路正常操作时，通过基于所述取了平均的衬底电压设定值生成衬底电压，校正所述比较器的DC偏移。