| 发明名称 | 半导体器件的制造方法及其中用到的导电组合物 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种厚膜导电组合物，包含：分散在(d)有机介质中的(a)导电银粉；(b)含锰的添加剂；(c)玻璃料，其中所述玻璃料的软化点在300-600℃。本发明还涉及一种半导体器件以及从结构构件制造该半导体器件的方法，所述结构构件由具有p-n接面的半导体和形成在半导体主要表面上的绝缘薄膜组成。所述制造方法包括步骤(a)将如上所述的厚膜组合物施加在所述绝缘薄膜上；和(b)烧制所述半导体、绝缘薄膜和厚膜组合物以形成电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1862839B | 申请公布日期 | 2010.04.21 |
| 申请号 | CN200610074811.1 | 申请日期 | 2006.04.14 |
| 申请人 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 发明人 | Y·L·王;A·F·卡洛尔;K·W·汉;R·J·S·扬 |
| 分类号 | H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01B1/20(2006.01)I;H01B1/14(2006.01)I;H01B1/00(2006.01)I;C08K3/00(2006.01)I;C03C3/062(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0216(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 范征 |
| 主权项 | 一种厚膜导电组合物，其包含：分散在有机介质中的：a)导电银粉；b)含锰的添加剂；c)选自Zn、ZnO、烧制时可产生ZnO的化合物及其混合物的添加剂；和d)玻璃料，其中所述玻璃料的软化点为300-600℃。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||