热敏成像元件

摘要

一种热敏成像元件包含具有式(I)的结构的IR染料，其中R基团的至少一个为由曝露于IR辐射或热诱导化学反应转变为比所述R更强的电子给体基团的基团；或者其中R基团的至少一个为由曝露于IR辐射或热诱导化学反应转变为比所述R更强的电子受体基团的基团。所述成像元件能够在由IR辐射或热以成像方式曝光后直接以高对比度形成可见晒出图像。

主权项

1.一种热敏成像元件，所述元件包含具有式I的结构的IR染料(式I)其中⁺Y¹＝由以下结构之一代表：Y²-由以下结构之一代表：n为0、1、2或3；p和q各自为0、1或2；R¹和R²独立为任选取代的烃基，或者其中所述R¹、R²、R^d或R^a基团的两个一起包含形成环状结构所需的原子；其特征为R^d基团的至少一个为由曝露于IR辐射或热诱导化学反应转变为比所述R^d更强的电子给体基团的基团；或者R^a基团的至少一个为由曝露于IR辐射或热诱导化学反应转变为比所述R^a更强的电子受体基因的基团；其它R^d和R^a基团独立由选自氢原子、卤素原子、-R^e、-OR^f、-SR^g和-NR^uR^v的基团代表，其中R^e、R^f、R^g、R^u和R^v独立为任选取代的脂族烃基或任选取代的(杂)芳基；并且所述转变使所述染料在400至700nm的积分光吸收增加。